Gigabyte Aorus Gen4 1TB M.2 NVMe PCIe 4.0 x4 – SSD

Interfaz
PCI-Express 4.0×4, NVMe 1.3
Factor de forma
M.2 2280
Capacidad total
1000 GB
Garantía
Limitado a 5 años o 1800 TBW
NAND
3 D TLC Toshiba BiCS4
Caché DDR externo
DDR4 de 1 GB
Velocidad de lectura secuencial
Hasta 5000 MB / s
Velocidad de escritura secuencial
Hasta 4400 MB / s
IOPS de lectura aleatoria
hasta 750k
IOPS de escritura aleatoria
hasta 700k
Dimensión
8 0,5 x 11,4 x 23,5 mm
Tiempo medio entre fallos (MTBF)
1,77 millones de horas
Consumo de energía (activo)
Promedio: R: 6,6 W; W: 6,4 W
Consumo de energía (inactivo)
1 8.8mw
Temperatura (en funcionamiento)
0 ° C hasta 70 ° C
Temperatura (almacenamiento)
-40 ° C hasta 85 ° C

Nota
* Configuración del sistema de prueba: la configuración puede variar según el modelo, elegiremos la última plataforma para la verificación.
* El rendimiento puede variar según la versión de firmware de SSD y el hardware y la configuración del sistema. Medidas de rendimiento secuenciales basadas en CrystalDiskMark v.5.1.2 e I0meter 1.1.0.
* Velocidades basadas en pruebas internas. El rendimiento real puede variar.
* TBW (Terabyte Written): Terabytes Written "es la cantidad total de datos que se pueden escribir en un SSD antes de que sea probable que falle.
* 1GB = mil millones de bytes. La capacidad utilizable real puede variar.
* 5 años o 1800 TBW, lo que ocurra primero.
* Todos los materiales proporcionados en este documento son solo para referencia. GIGABYTE se reserva el derecho de modificar o revisar el contenido en cualquier momento sin previo aviso.
* El rendimiento anunciado se basa en los valores de interfaz teóricos máximos de los respectivos proveedores u organizaciones de Chipset que definieron la especificación de la interfaz. El desempeño real puede variar según la configuración del sistema.
* Todas las marcas comerciales y logotipos son propiedad de sus respectivos propietarios.
* Debido a la arquitectura de PC estándar, se reserva una cierta cantidad de memoria para el uso del sistema y, por lo tanto, el tamaño real de la memoria es menor que la cantidad indicada.